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小尺寸高性能大容量,佰维BGA SSD 为 IoT物联网提供最佳的存储解决方案

时间:2018/12/13 阅读:6480

在SSD市场,随着智能终端日趋小型化的发展趋势,超小尺寸封装的存储产品愈加受到青睐。BIWIN顺势而为,继2013年推出基于SATA接口的BGA SSD产品以后,于2018

年顺利量产基于PCIe Gen3接口的BGA SSD,BIWIN PCIe BGA SSD兼具高性能与高性价比,充分满足物联网(IoT)对存储设备高性能和小型化的刚需,再次展现出佰维

强大的研发实力。

 

传统固态硬盘的主控芯片、闪存芯片、外围电路都是分离的,BIWIN BGA SSD则将它们统统整合在了一块BGA封装的芯片内,整体尺寸小至11.5×13×1.2mm(PCIe),

相当于标准2.5英寸固态硬盘尺寸约1/200。高集成度封装形式丝毫没有损失对性能的苛求,BIWIN BGA SSD可提供高速的SATA 6Gb/s以及NVMe 32Gb/s的速率,且

BGA封装设计亦为其带来低功耗、低发热、抗震等先天优势,是物联网(IoT)移动化存储的绝佳解决方案。

 

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BIWIN BGA SSD支持两种尺寸规格:SATA3.0:16mm x 20mm(最高可达256GB);PCIe 3.0×2:11.5mm x 13mm(最高可达256GB),理论带宽最高可达

2500MB/s。可靠性方面,支持端对端数据保护及SRAM ECC,支持NAND Xtend等。

 

得益于NVMe规范协议的升级,以及满足市场对数据高速传输需求增长,BIWIN PCIe BGA SSD基于HMB(Host Memory Buffer)技术的DRAM-less控制芯片设计,从而

实现了高性能低成本的SSD物联网(IoT)解决方案。

 

BIWIN BGA SSD 固态硬盘优势

 

 
超小尺寸、大容量设计,为物联网移动化而生

 

BIWIN BGA SSD,超小尺寸以及高至256GB的容量配置,使得移动系统制造商和与周边扩展设备开发商,在不受尺寸和空间限制的情况下,接入高速度、大容量的存储设备。

以瘦客户机厂商为例,如配对两个或多个BIWIN BGA SSD可以实现最节省空间的RAID磁盘阵列解决方案,增强数据的完整性的同时,协助实现物联网移动化应用。

 
动态电源管理,延长电池寿命,降低功率耗能

 

针对移动智能终端而言,优异的电池续航能力与使用寿命,是产品从同质化竞争中脱颖而出的关键因素之一,如何提高电池的性能也成为系统集成商的亟需解决的问题。此时,

BIWIN BGA SSD得益于其超小型的封装设计,为系统集成商预留除更大的空间可以装载更大的电池,且BGA封装特有的先天性低功耗,加之佰维在算法和固件开发上的优化,

有效动态电源管理还可进一步降低功耗,全盘损耗均衡技术延长从而产品寿命,闲置模式下功耗仅为8mW。同时,监控工具S.M.A.R.T.,将为客户实时展现硬盘损耗状态,方

便在损坏之前及时更换。

 

 
PCIe(NVMe)32Gb/s传输,满足物联网的高性能需求

 

着眼未来,无人驾驶汽车(感应+认知+行动)将配备大量的传感系统,比如:GPS接收器、激光雷达、超声波传感器,以及高清摄像头等,为实现自动驾驶汽车提供基础数据

作为参数,对于智能汽车或无人驾驶而言,其不仅是交通工具,更是信息汇总、数据计算和传输中心,对数据存储和处理能力的要求会越来越高,而在装载BIWIN BGA SSD后,

该难题则迎刃而解。佰维BGA方案的SSD有SATAIII 6Gb/s和PCIe(NVMe)32Gb/s两种接口类型,以PCIe接口为例,实测传输速率最高达1900MB/s,意味着本地计算机可

以快速完成部分数据分析,再上传基本数据到云端,让用户享受到更加快捷的数据存储体验。

 

 
工业级封装设计与技术,应对严苛恶劣的环境

 

针对在极冷或极热的工业环境之下,严苛的环境条件将会对设备性能与寿命产生巨大的影响,特别是对存储产品的可靠性也提出新的挑战。BIWIN BGA SSD充分考虑到这个问

题,采用现金的BGA封装工艺,平均故障间隔时间超过300万小时,宽温稳定运行的温度范围为-40℃~85℃,在极端条件之下还能够承受冲击与震动,为苛刻环境下IoT设备稳

定运行供保证。

 

 

 

 主要规格

接口

PCIe G3X4

SATA3

FLASH 类型

TLC

MLC/TLC

容量

128GB~256GB

32GB~256GB

最大通道数

2

2

连续读/(MB/s,Max)

1900/650

490/420

最大功耗

3.96W(3.3Vx1.2A)

3.3W(3.3V1.0A)

工作电压

VCC=3.3v,VCCQ =1.2v, VCCK=0.9 V

VCC=3.3v,VCCQ =1.8v, VCCK=1.1 V

4K IOPS(随机读/)

105K/100K

65K/65K

工作温度

0~70℃

-40~85℃/-25~70℃/0~70℃

测试环境

震动:20G@7~2000Hz/冲击:1500G@0.5ms/储存温度:

-55°C ~ +95°C/MTBF:>300万小时

尺寸

12.0×16.0×1.4mm/11.50×13.00×1.2

16.0×20.0×1.4mm

封装形式

FBGA345

FBGA157

定制化技术(可选)

S.M.A.R.T./AES硬件加密//底部填充/Wear

Levelling/宽温/固件备份/V-REC/垃圾数据回收与TRIM/热传感器/抗硫化技术

 

 

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