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【新品发布】佰维推出DDR5 DRAM存储模组,助力智能“端”应用创新迭代

时间:2021/10/20 阅读:271

大数据时代,包括PC在内的所有智能终端都在朝着更强性能、更高算力的方向迭代升级。为了满足PC等智能终端对性能的追求,佰维存储近期正式发布DDR5 DRAM存储模组,以大容量、高频率、低功耗,助力客户提前布局最新的DDR5处理器平台产品开发,加速下一代PC等智能终端产品的商业化进程。

 

佰维存储DDR5 UDIMM

 

DDR5时代即将开启

 

根据VCZ的最新消息,支持DDR5的因特尔12代酷睿处理器将于11月4日上市发售。后续,支持DDR5标准的PC主机必将迅速涌现。这意味着DDR5的时代将正式开启。相比DDR4内存,DDR5拥有更高的起步频率,业内预估未来可达6400MHZ,同时电压更低,数据预取更大。相关对比数据如下:

 

DDR3、DDR4、DDR5对比

佰维DDR5产品特点

 

佰维DDR5 UDIMM存储模组采用镁光(Micron)最新1znm 16Gb DDR5原厂颗粒,标准频率提升至4800Mbps,直接冲破DDR4的性能天花板。同时,考虑到市场还处于交替初期,佰维存储提供16GB、32GB两种容量规格供客户选择。

 

 

佰维存储DDR5规格参数

除了大幅提升性能之外,佰维DDR5 UDIMM实现了多种RAS(Reliability,Availability and Serviceability)功能,提高了产品的可靠性、稳定性与适合性。其中主要包括:

 

On-Die ECC纠错机制

On-Die ECC纠错机制将原本用于工控企业级应用的数据纠错功能,带到了民用平台 ,不需要独立的芯片,为数据传输过程提供端对端的完整保护。

WR写入数据均衡

WR写入数据均衡功能不仅可以保护通免受符号间干扰的影响,还可实现更高的数据写入速率。

PMIC电源管理

PMIC电源管理高效控制系统电源负载,调节电源纹波、电压和上下电时序,提升信号完整性与兼容性;同时,仅1.1V的工作电压,可以达到降低发热量和省电的效果。

数据的循环冗余校验 (CRC)

佰维DDR5支持对写入和读取的数据进行CRC 校验,实现高速、高正确率、低成本纠错,从而避免通道出错。

 

佰维DDR5赋能高速运算

 

佰维存储践行芯存万象、致美唯真”的品牌理念,在高频、高速、小尺寸、大容量等存储芯片产品的研发方向上追求极致。在内存产品从DDR4向DDR5升级的过渡期,佰维存储主动出击,研发推出DDR5 UDIMM内存条,既提前为客户进行下一代主机产品的研发测试提供配套,也为DDR5新功能的开发、全产品线覆盖做好了铺垫。

 

佰维存储DDR5 UDIMM

 

佰维存储DDR5 UDIMM预计于2022年进入量产阶段,之后,还将推出DDR5的SODIMM版本,以及采用三星颗粒的DDR5系列产品。作为存储芯片全案提供商,佰维存储正努力促使DDR5进入具有高效能运算需求的游戏电脑、数据中心、AloT、人工智能等应用场景,推动新一轮性能浪潮的到来。