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佰维首秀2021全球CEO峰会,荣获全球电子成就奖桂冠

时间:2021/11/19 阅读:116

近日,2021全球CEO峰会在深圳隆重举办,佰维CEO何瀚先生受邀出席峰会圆桌论坛,围绕“全球科技创新合作新模式”主题,以社会数字化转型为切入点,与ARM、Imagination、兆易创新、集创北方等行业领军企业CEO共同问道当下、前瞻未来。在同期举办的全球电子成就奖颁奖典礼上,佰维存储芯片ePOP E100斩获“年度存储器”殊荣,这是继佰维E009 BGA PCIe SSD荣获2021年中国IC设计成就奖之后,又一款创新型存储芯片产品获得业界的嘉奖。

 

 

2021全球CEO峰会是由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的高端专业峰会,在电子行业闻名遐迩。本次峰会以“全球新工业战略”为主题,中、美、欧产业领袖参会,共同探讨新工业战略。

 

佰维CEO何瀚:创新存储加速数字化转型

 

在峰会圆桌论坛上,嘉宾们论道数字化转型对信息技术和企业带来的影响,佰维CEO何瀚先生指出,在数字化转型的趋势下,存储技术与应用场景的结合至关重要。数字化转型在用户侧和工业侧给人类生活带来了更加深刻的变化,人类正在走向数字化的未来。数字化未来的根基是数据,数据需要存储,存储需要芯片。数字化的变革使得更多信息以数字、数据的形式被存储和使用,给存储芯片行业带来了更大的机遇和可能性。佰维存储在用户侧和工业侧均拥有领先的存储解决方案,充分满足工业级、消费级、企业级客户的多样化存储需求,助推全社会数字化转型进程。

 

针对存储技术的创新发展,何总指出,存储技术的创新主要包括应用技术和介质技术两个方面。应用技术的创新,主要表现在存储技术和应用场景的耦合,如存储与计算(存内计算、近存计算)、存储与通信(以太网SSD),以及协议的不断演进和突破;介质技术的创新,主要表现在易失性存储与非失性存储的融合,新一代的存储介质,如MRAM、PRAM和RRAM等均兼具易失性存储和非易失性存储的优点。此外,目前存储芯片已经走向三维的结构,并在三维的结构上进一步延续摩尔定律

 

 

何总进一步指出,佰维作为国内少数掌握高端NAND和DRAM型存储器研发、封测制造,并成功进入全球Top品牌供应链的企业,坚持技术立业,旨在通过对存储介质和应用技术的深度理解和研发,满足新一代车载、物联网、数据中心、人工智能等领域对存储的高性能、高容量、低时延、低功耗等要求。

 

佰维ePOP E100荣获“年度存储器”产品奖

 

“全球电子成就奖”旨在聚焦领先科技,推动全球范围内的电子产业技术革新。获得全球电子成就奖的表彰,是一项备受认可的荣誉,充分体现了该技术或产品在业界的领先地位与不凡表现。

 

 

本次荣获“年度存储器”产品奖的佰维ePOP E100,是一款专门针对智能穿戴设备而开发的嵌入式存储芯片产品。它整合了eMMC与LPDDR,采用垂直贴装于CPU上方的堆叠方式,使存储器之更接近CPU 的内存,从而确保最佳传输速率,做到性能最优。跟平面的贴装方式相比,尺寸仅为10×10×0.9(mm);较传统装载方式,E100板载面积减少60%,最大化节约了主板空间。

 

佰维ePOP E100具备高集成、性能优、板载空间小等优势,充分满足智能手机、手表等智能终端设备高速、节能、轻薄、小巧的需求。目前该产品已向Google、Face book等全球重要的穿戴式设备大厂批量供货。

 

佰维ePOP E100

 

半导体存储器是5G、社会数字化转型的核心基建,是持续助推社会数字化生活的核心领域。近年来,半导体终端应用市场迅猛发展,佰维存储始终与时俱进,通过自身创新研发和先进封测的融合优势——交期保证、品质稳定、快速响应,贴近客户市场的需求,为各种以端应用为代表的数字化转型场景赋能。