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存储芯未来 视听新生活 | 佰维携嵌入式存储产品亮相CCBN 2023

时间:2023/04/20 阅读:2793

4月19至21日,在北京首钢会展中心,佰维亮相 CCBN 2023,重点展示面向智能终端应用的嵌入式存储解决方案。CCBN作为世界知名的视听展会品牌,是全球广播电视和网络视听科技研讨、产业交流、创意交汇的重要平台。

 


佰维团队与客户合影留念

佰维在本届大会展示eMMC、UFS、LPDDR、DDR、ePOP/eMCP等嵌入式存储产品,以及智能电视、智能穿戴、手机/平板、物联网等存储解决方案。典型代表产品有:

佰维eMMC:稳定流畅、超长寿命,助力智能电视畅享新视界

 

针对高端智能电视应用需求,佰维推出MLC颗粒eMMC芯片解决方案。该产品顺序读写速度分别可达215MB/s、90MB/s,工作功耗仅为200mW。通过公司存储介质筛选和自研固件设计开发,佰维eMMC芯片具备高读写性能、可靠性、长使用寿命等特点,解决了智能电视开机卡顿、运行不畅的问题;凭借佰维自主开发的测试软件平台、核心测试算法及配套测试设备,佰维eMMC芯片拥有极高稳定性,避免出现频繁的异常掉电现象。

 

佰维LPDDR5:高效能、多容量,加速手机/平板升级迭代

 

LPDDR5支持多Bank Group模式,传输速率高达6400Mbps,传输带宽达到51GB/s,可提供16Gb-64Gb多容量可靠方案,多组电压动态调节使功耗降低30%。高性能、低功耗、更稳定可靠和多容量选择,佰维LPDDR5内存方案将有效满足中高端智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。

 

佰维ePOP E100:高性能、低功耗,赋能智能穿戴小而精

 

佰维依托研发封测一体化优势,推出了尺寸仅为10*10mm的ePOP E100产品,最大顺序读写速度分别为310MB/s、240MB/s。该产品集成高性能eMMC和LPDDR芯片,垂直贴装于CPU之上,较传统方案面积减少60%,同时减少了电流信号间的传输距离,兼备高性能与低功耗。因而,佰维ePOP E100尤其适用于对尺寸、功耗和可靠性要求高的智能穿戴设备,可为终端厂商提供快速、灵活落地的技术方案,缩短产品上市周期。

 

佰维UFS3.1:高读速、大容量,助力旗舰智能手机

 

面向旗舰智能手机,佰维推出了UFS3.1高速闪存,写入速度高达1200MB/s,容量高达512GB。佰维依托自研固件算法能力,同时根据JEDEC发布的UFS3.1规范,为UFS3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能,确保产品高速运行的同时,降低产品功耗大幅缩短应用加载的等待时间,提升移动终端的工作效率

 

佰维展台位于1号馆1111,我们诚邀您莅临参观与交流(联系电话:18925273911),共同探索合作商机!