1,高速顺序读写/IOPS性能优越;
2,自主REC算法确保持续写入稳定;
3,支持极端高低温环境作业;
4,支持异常断电保护2000000次以上;
5,支持 Trim、NCQ、SMART,全局均衡擦除;
6,可定制化
型号 | BWI46E2 |
---|---|
接口 | SATA3 6.0Gb/s |
FLASH 类型 | MLC NAND |
容量 | 512GB/1TB/2TB |
最大通道数 | 4 |
连续读/写(MB/s,Max) | 525MB/s(读);430MB/s(写) |
最大功耗 | 1.3W (3.3Vx400mA)/3.3W(3.3Vx1.0A)/1.65W (3.3Vx500mA) |
温度感应 | 支持 |
外部缓存 | 支持 |
固件备份 | 支持 |
TRIM | 支持 |
ATA 加密 | 支持 |
S.M.A.R.T 监控 | 支持 |
AES 256-Bit | 可选 |
掉电保护 | 支持 |
快速擦除 | 支持 |
物理销毁 | 可选 |
工作温度 | -40~85℃ |
测试环境 | 震动:20G@7~2000Hz/冲击:1500G@0.5ms/储存温度: -55°C ~ +95°C/ MTBF:>200万小时 |
尺寸 | 50.8X29.85X4.85mm |
应用方向 | 车载电子 / 医疗保健 / 行业终端应用 / 视频监控 |
技术特点 | 宽温 / IPS掉电保护 / V-REC / 三防漆涂层 / 端到端的数据保护 / S.M.A.R.T. |